氧化硅片SiO2热氧化PECVD20nm至10um膜厚膜层致密均匀度好1-12寸

氧化硅片

芜湖恒枢科技加工、销售 氧化硅片，大量现货。
 尺寸：1,2,3,4,5,6,8,12英寸；定制尺寸、切割小块；
 晶向： 100、111等；
 氧化层SiO2膜厚： 较薄：25nm、50nm等；常规100-500nm；厚1um、2um；超厚＞3um~10um；

 表面： 单面抛光双面氧化、单片抛光单面氧化、双面抛光双面氧化；
 类型： N型、P型、非掺杂高阻；
 电阻率： ＜0.0015~1等低阻区、1-10Ω.cm中阻区、＞1000~10000高阻区；
 工艺：热氧化工艺，也可PECVD加工 ；
 应用： 刻蚀钝化层、金属打线测试、电性绝缘层、涂胶、器件层等。
 供货能力：大量现货、参数；
 订制能力： 各种参数均可订制。