低应力氮化硅片Si3N4LPCVD工艺研磨窗口光刻纳米压印2寸4寸6寸

低应力氮化硅片

芜湖恒枢科技加工、销售 氮化硅片，大量现货。
 尺寸： 2，3，4，6英寸；
 工艺： LPCVD；LPCVD具有均匀性好，应力低，成膜质量好等优点，成本也较高；
 氮化厚度：50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um；
 表面：单面抛光双面氮化、单面抛光单面氮化、双面抛光双面氮化；
 硅片厚度：200um，500um等多种厚度；
 应用：钝化膜、绝缘层、扩散掩膜。硅中的氮能提高硅单晶的强度，防止硅片翘曲，并能抑制微缺陷形成。用于半导体光刻、纳米压印、PVD/CVD镀膜、MEMS、半导体器件等领域；
 供货能力：大量现货、参数；当天出库；
 订制能力： 各种参数均可订制。