砷化镓晶片GaAs12346英寸PN型非掺杂100111晶向外延刻蚀光学应用

砷化镓晶片GaAs

芜湖恒枢科技有限公司生产定制砷化镓衬底片GaAs wafer、多晶棒。
 尺寸：1 " ，2" ，3"，4"，6" ；
 晶向：（100）,（111）和偏2°、4°、6°、10°、16°等各种偏角；
 类型：N- type 掺Si， P- type 掺Zn，半绝缘Undope；
 厚度：100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um；

 提供“激光领域” 用 超薄双抛GaAs ；提供光学透过可用的双抛半绝缘GaAs ；
 提供低位错的EPD<500、<300、<100、＜50 的LD级外延用GaAs；
 工艺加工：镀增透膜、镀金等欧姆接触、砷化镓电池、砷化镓外延（PN结、LED各色外延、LD激光器）。